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我不知道你的意思是“费米水平设定效应”。
-费米能级由于掺杂而不能移动并且相应带的边缘不能移动的现象。
半导体费米能级会改变位置。
例如，掺入施主杂质将费米移至能带的底部并使半导体成为n型半导体。当包含受主杂质时，费米能级向价带移动，半导体成为p型半导体。
但是，如果费米能级由于掺杂等而无法改变，这称为费米能级设置效果。
如果这种效果起作用，则即使将更多的施主或受主结合到半导体中，也无法更改半导体类型。即，内置的施主或受主不能提供载流子，因此难以进行pn结的杂质补偿。
费米能级设置效果的原因与材料的性质有关。
典型的示例是宽带半导体（GaN，SiC等），通常将其称为单极半导体，因为它们可以制造为n型或p型半导体。
通常，离子半导体（半导体II-VI等）趋向于成为单极半导体，这主要是由于大量无法移动费米能级的带电缺陷所致。
因此，制造p-n半导体结是困难的。
当使用GaN制造蓝色发光二极管时，该问题以前发生并且没有解决。然后使用特殊的施主来激活掺入的施主或受主杂质，从而形成蓝色结二极管pn结。
它还具有设置费米水平的作用。
例如，非晶半导体在带隙中具有彼此重叠的深施主和深受体，并且费米能级被设置在中心，使得难以实现掺杂效果。